据报，来自美国国家标准与技术研究所（NIST）的纳米线研发科学家顺利研发出有了紫外发光二极管（LED），由于使用了类似类型的外壳，其发光强度是基于更加非常简单外壳的同类LED产生的光强度的五倍。紫外LED的应用领域更加甚广，还包括聚合物烧结、水净化和医疗消毒等。MicroLED也是可用显示器的焦点。日前，NIST科学家正在试验纳米线LED，用作电子和生物应用于的扫瞄探针针尖。

这款全新的、亮度更高的LED是NITS通过其在生产高质量氮化镓（GaN）纳米线领域的专业技术开发出来的。最近，研究人员仍然在试验由掺入硅GaN做成的纳米线核心，这种核心具备额外的电子，被由掺入镁GaN做成的壳体围困，而这些壳体具备多余的缺陷电子的“空穴”。当电子和空穴融合时，能量以光的形式获释，这一过程称作电致发光。

NIST研究团队此前曾展出过GaNLED，这种LED产生的光，源于流经壳层的电子与空穴的新的融合。新的研发的LED在壳层中加到了少量铝，从而增加了电子阻塞和光重吸收导致的损失。

Nanotechnology杂志叙述了近期的研究进展，这种亮度更高的LED是由纳米线做成，具备所谓的“p-i-n”结构，这是一种可将电子和空穴流经纳米线的三层设计。向壳层加到铝有助将电子容许在纳米线核心，进而增进电致发光的亮度提高五倍。该论文的主要作者MattBrubaker说明道：“铝的起到是引进电流的不对称性，进而制止电子流进壳层，虽然这样一来不会减少效率，但是却可将电子和空穴容许在纳米线核心。

”纳米线测试结构的长约为440nm，壳厚度大约为40nm。最后的LED，还包括外壳，完全比原本大了10倍。研究人员找到，重新加入到生产结构中的铝量各不相同纳米线的直径。

研究团队小组长KrisBertness回应，目前最少有两家公司正在研发基于纳米线的MicroLED，NIST就与其中一家公司签订了合作研发协议，以研发掺杂剂和结构密切相关方法。研究人员早已与扫瞄探针公司就在他们的探针针头中用于NISTLED展开了可行性辩论，预计NIST迅速不会展出涉及原型LED用具。

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